Inspiring the World

Eka Maulana, ST., MT., M.Eng

Category : Nanotechnology

Teknologi Nano dalam Perspektif Islam

nano islam

Berikut materi kajian Sensor (Senin Sore) Masjid Raden Patah Universitas Brawijaya 23/03/2015.  Download Materi “Teknologi Nano dalam Perspektif Islam”

singapore waset

Paper Title: Effect of Chlorophyll Concentration Variations from Extract of Papaya leaves on Dye-Sensitized Solar Cell.

Singapore, 8-9 January 2015.

Download: Presentation File 

Materi Level UP – LSIM FK-UB “Nano Technology”

Berikut Materi Level UP LSIM “Nano Technology” (16/11/2014)

Nano_Technology FK-UB Eka_Maulana

Teori Dasar MOSFET

N-channel MOSFET

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah suatu transistor dari bahan semikonduktor (silikon) dengan tingkat konsentrasi ketidakmurnian tertentu. Tingkat dari ketidakmurnian ini akan menentukan jenis transistor tersebut, yaitu transistor MOSFET tipe-N (NMOS) dan transistor MOSFET tipe-P (PMOS). Bahan silicon digunakan sebagai landasan (substrat) dari penguras (drain), sumber (source), dan gerbang (gate). Selanjutnya transistor dibuat sedemikian rupa agar antara substrat dan gerbangnya dibatasi oleh oksida silikon yang sangat tipis. Oksida ini diendapkan di atas sisi kiri dari kanal, sehingga transistor MOSFET akan mempunyai kelebihan dibanding dengan transistor BJT (Bipolar Junction Transistor), yaitu menghasilkan disipasi daya yang rendah.

Download Artikel pdf

Carbon Nanotube

CARBON NANOTUBE

Carbon nanotube adalah salah satu struktur carbon yang berbentuk seperti silinder dengan diameter dalam orde nanometer. Salah satu keunikan dalam struktur ini adalah kelebihannya dalam hal kekuatan, sifat keelektrikannya, dan juga sifat dalam penghantaran panas yang baik. Struktur ini memiliki bermacam bentuk turunan yang masing-masing memiliki sifatnya tersendiri. Keistimewaan carbon nanotube membuatnya menjadi harapan baru dalam perkembangan teknologi nano.

carbon nanotube merupakan turunan dari struktur carbon. Carbon nanotube dapat dideskripsikan sebagai lembaran grafit setebal 1 atom yang digulung menyerupai silinder dan memiliki diameter dengan orde nanometer. Lembaran ini memiliki struktur seperti sarang lebah (honeycomb) yang terdiri dari ikatan-ikatan atom carbon.

Struktur carbon nanotube yang unik memungkinkannya memiliki sifat kenyal, daya regang, dan stabil dibandingkan struktur carbon lainnya. Kelebihannya ini dapat dimanfaatkan dalam pengembangan struktur bangunan yang kuat, struktur kendaraan yang aman, dan lainnya. Hal ini dikarenakan carbon nanotube memiliki ikatan sp3 menyerupai struktur di grafit. Ikatan ini lebih kuat dibandingkan dengan struktur ikatan sp2 yang dimiliki oleh intan. Dengan demikian secara alami carbon nanotube akan membentuk ikatan yang sangat kuat.

Artikel pdf

DESIGN OF 16 TO 1 MULTIPLEXER IC USING HIGH SPEED CMOS TECHNOLOGY

Eka Maulanaa, M Julius Stb, R Arief Setyawanc, Ceri Ad, Tito Panca Ne

abc Lecturer, Department of Electrical Engineering, Brawijaya University,
Jln. MT Haryono no. 167, Malang, Indonesia; Tel: + 62-81-233262589;
E-mail:
ekamaulana@ub.ac.id, mjulius.st@gmail.com, rarief@ub.ac.id

de Under Graduate, Department of Electrical Engineering, Brawijaya University,
Jln. MT Haryono no. 167, Malang, Indonesia; Tel: + 62-81-234685695;
E-mail: ceri.ahend4390@gmail.com, titopancanugraha@gmail.com

ABSTRACT

In this research is designed a digital multiplexer IC of 16 to 1 High Speed Complementary Metal Oxide Semiconductor (HCMOS) for digital circuit applications. The purpose of this research is an analysis to improve the CMOS characteristic such as Voltage Transfer Characteristic (VTC), propagation delay, and power dissipation, ie: to minimize the value of propagation delay and power dissipation than previous CMOS design. The HCMOS schematic and layout was drawn in DSCH and Microwind2 software, respectively. A PSpice simulation software was used to test the schematic characteristic. A 5 volt DC power supply was used in this schematic design and coupling capacitor was ≤ 5pF. We used the maximum frequence, KN, KP parameters of 10 MHz, 40 µA/V2 and 16µA/V2, respectively. This design is supposed to be an average propagation delay of less than 70 ns.The result of research shows that VTC are VIL = 2.92 volt, VOL = 0 volt, VIH = 2.94 volt, and VOH = 5 volt; then the Noise Margins are NMH = 2.06V and NML = 2.92V. The simulation result of time propagation delay are tPLH = 9.79 ns, tPHL = 3.92 ns, and tPD = 6.85 ns. The output of power dissipation is 125µW. The design of schematic layout area without I/O pad is 1189,1 µm x 23,3 µm and the area with I/O pad is 1625.5 µm x 1625.5 µm. Based on simulation results show that the specification and design of 16 to 1 Multiplexer IC by using High Speed ​​CMOS technology (HCMOS) has the speed 13.43 ns faster than DM74150 TTL and 152.25 ns faster than MM54C150J CMOS IC. Comparing to the both of ICs, the power dissipation of this design is 109.91 nJ lower than CMOS and 6.792 nJ lower than TTL IC.

KEY WORDS: Multiplexer, HCMOS, Propagation Delay, Power Dissipation

Full Paper (PDF)

Berikut materi seminar Nanoteknolgi yang diselenggarakan oleh BNC (Brawijaya Nano Club) dan NWI (Nano World Indonesia) di Universitas Brawijaya Malang 21 Desember 2013. Download Materi Seminar Nanotechnology – Eka Maulana .